單項(xiàng)選擇題癲癎病灶部位在γCBF顯像的陽性表現(xiàn)為()

A.發(fā)作期和發(fā)作間期均見局部放射性增高
B.發(fā)作期和發(fā)作間期均是局部放射性減低
C.發(fā)作期局部放射性減低,發(fā)作間期局部放射性增高
D.發(fā)作期局部放射性增高,發(fā)作間期放射性減低
E.發(fā)作期和發(fā)作間期均無放射性改變


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1.單項(xiàng)選擇題適用于單光子發(fā)射型斷層顯像的γ射線以能量多少合適()

A.25~50keV
B.50~100keV
C.100~300keV
D.300~500keV
E.>800kEV

2.單項(xiàng)選擇題核醫(yī)學(xué)診斷方法所依據(jù)的共同原理是()

A.放射性配體結(jié)合分析法原理
B.γ閃爍顯像原理
C.臟器功能檢測原理
D.放射自顯影原理
E.核素示蹤原理

3.單項(xiàng)選擇題放射性核素發(fā)生器(母牛)是()

A.一種層析儀器
B.體外放射性核素探測儀器
C.體內(nèi)臟器顯像儀器
D.放射性活度測量儀器
E.一種從長半衰期核素衰變產(chǎn)物中得到短半衰期核素的裝置

4.單項(xiàng)選擇題液體閃爍計(jì)數(shù)器主要用來測定()

A.α射線
B.β射線
C.γ射線
D.低能射線
E.中微子

5.單項(xiàng)選擇題帶電粒子能使閃爍物質(zhì)發(fā)出()

A.光電子
B.康普頓電子
C.電子對(duì)
D.熒光光子
E.俄歇電子