A.各導(dǎo)體所帶電量
B.導(dǎo)體間的相對(duì)位置
C.各導(dǎo)體的電位
D.同時(shí)選擇A和B
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A.兩者的相位差不為0和π
B.兩者振幅不同
C.兩者的相位差不為±π/2
D.同時(shí)選擇A和B
A.磁場(chǎng)隨時(shí)間變化
B.回路運(yùn)動(dòng)
C.磁場(chǎng)分布不均勻
D.同時(shí)選擇A和B
已知某區(qū)域V中電場(chǎng)強(qiáng)度E滿足,則一定有()。
A.E為時(shí)變場(chǎng)
B.E為靜電場(chǎng)
C.V中電荷均勻分布
D.V中電荷處處為零
A.磁場(chǎng)H垂直于介質(zhì)表面;表面
B.磁場(chǎng)H平行于介質(zhì)表面;表面
C.磁場(chǎng)H不均勻;內(nèi)部
D.同時(shí)選擇B和C
A.相同
B.不相同
C.不能斷定相同或不相同
最新試題
磁介質(zhì)磁化后,介質(zhì)內(nèi)總的磁通密度會(huì)()
均勻平面電磁波電磁波在理想介質(zhì)中傳播時(shí),時(shí)變電場(chǎng)和時(shí)變磁場(chǎng)的振幅不會(huì)衰減。
復(fù)能流密度矢量是瞬時(shí)能流密度矢量的復(fù)數(shù)形式。
導(dǎo)電介質(zhì)中的集膚深度,隨介質(zhì)電導(dǎo)率σ的增大而()
恒定磁場(chǎng)安培環(huán)路定律可以用于時(shí)變電磁場(chǎng)中。
由于恒定電場(chǎng)與靜電場(chǎng)具有相似性,可以用靜電場(chǎng)來(lái)模擬恒定電場(chǎng)。
電磁波投射到理想導(dǎo)體表面時(shí)總是發(fā)生全反射,而沒(méi)有功率進(jìn)入導(dǎo)體。
有一頻率f=100MHz、沿y方向極化的均勻平面波從空氣中沿+x方向垂直入射到x=0處的完純導(dǎo)體平面上,設(shè)x=0處入射波電場(chǎng)的電場(chǎng)振幅為6V/m。(1)確定距導(dǎo)體平面最近的合成波的總電場(chǎng)為零的位置;(2)確定距導(dǎo)體平面最近的合成波的總磁場(chǎng)為零的位置。
電偶極子在空間某點(diǎn)產(chǎn)生的標(biāo)量電位和該點(diǎn)與電偶極子間距離的平方成反比。
磁化強(qiáng)度反映介質(zhì)被磁化的程度,而磁導(dǎo)率反映介質(zhì)是否易于磁化的特性。