A.0.001
B.0.0025
C.0.003
D.0.005
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A.低壓端對(duì)地絕緣電阻≥2000MΩ
B.電容量初值差不超過(guò)±5%
C.相對(duì)介質(zhì)損耗因數(shù)變化量≤0.003
D.相對(duì)電容量比值初值差≤5%
A.在相同測(cè)量條件下，線圈電阻的初值差不超過(guò)±3%
B.在相同測(cè)量條件下，線圈電阻的初值差不超過(guò)±5%
C.在額定頻率下，電感量的初值差不超過(guò)±3%
D.在額定頻率下，電感量的初值差不超過(guò)±5%
A.極對(duì)殼絕緣電阻不低于2500MΩ
B.電容量與出廠值的差異不超過(guò)±5%
C.更換的新電容器的電容量以及更換后整組的電容量，應(yīng)符合技術(shù)文件要求
D.以上都是
A.3MVar以下電容器組：-5%～10%
B.3～30MVar電容器組：0%～10%
C.30MVar以上電容器組：5%～10%
D.30MVar以上電容器組：0%～5%。
A.紅外熱像檢測(cè)
B.絕緣電阻
C.電容量
D.紫外檢測(cè)
最新試題
構(gòu)支架可研初設(shè)審查，其承載力、穩(wěn)定、變形、抗裂、抗震及耐久性等應(yīng)符合現(xiàn)行（）產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)計(jì)要求。
對(duì)特高壓且為格構(gòu)式結(jié)構(gòu)的構(gòu)架，可結(jié)合構(gòu)架形式裝設(shè)（）
構(gòu)支架竣工（預(yù)）驗(yàn)收，要求技改擴(kuò)建工程新構(gòu)支架應(yīng)與原構(gòu)支架（）一致。
SF6斷路器紅外測(cè)溫，引線接頭，溫差不超過(guò)（）K，未達(dá)到嚴(yán)重缺陷的要求，開展D類檢修。
10kV及以上高壓開關(guān)柜出廠驗(yàn)收，必要時(shí)可對(duì)出廠試驗(yàn)中的開關(guān)柜交流耐壓試驗(yàn)、斷路器（）測(cè)量等關(guān)鍵項(xiàng)目進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)見證驗(yàn)收。
接地裝置檢修需斷開電氣接地連接回路前，應(yīng)做好臨時(shí)（）
高壓熔斷器外露金屬件表面銹蝕、變色、脫落面積不應(yīng)大于（）mm2。
鋼爬梯、地線柱等構(gòu)件應(yīng)按構(gòu)架透視圖位置正確安裝于構(gòu)件桿體上，并應(yīng)注意（）
鋼構(gòu)件采用（）進(jìn)行防腐蝕處理。
構(gòu)支架基礎(chǔ)回填土下陷時(shí)，應(yīng)進(jìn)行回填或進(jìn)行地基（）