單項選擇題根據(jù)國產(chǎn)半導體器件命名方法可知，3DG6為（）

A.NPN型低頻小功率硅晶體管
B.NPN型高頻小功率硅晶體管
C.PNP型低頻小功率鍺晶體管
D.NPN型低頻大功率硅晶體管


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2.單項選擇題射極輸出器是典型的（）放大器。

A.電流串聯(lián)負反饋
B.電壓并聯(lián)負反饋
C.電壓串聯(lián)負反饋

3.單項選擇題基極電流iB的數(shù)值較大時，易引起靜態(tài)工作點Q接近（）。

A.截止區(qū)
B.飽和區(qū)
C.死區(qū)

4.單項選擇題射極輸出器的輸出電阻小，說明該電路的（）

A.帶負載能力強
B.帶負載能力差
C.減輕前級或信號源負荷

5.單項選擇題電壓放大電路首先需要考慮的技術(shù)指標是（）。

A.放大電路的電壓增益
B.不失真問題
C.管子的工作效率