單項(xiàng)選擇題在二次電子崩的頭部有大量電子進(jìn)入初始電子崩的正空間電荷區(qū)內(nèi)，與之混合成為充滿正、負(fù)帶電質(zhì)點(diǎn)的混合等離子通道，即形成（）

A.流注
B.離子崩
C.中子崩
D.導(dǎo)電道


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2.單項(xiàng)選擇題空氣間隙的操作沖擊擊穿電壓數(shù)值大小不僅與間隙距離，電極形狀，電極極性有關(guān)，還與（）有關(guān)。

A.波前時(shí)間的長(zhǎng)短
B.半峰值時(shí)間的長(zhǎng)短
C.波形系數(shù)

3.單項(xiàng)選擇題在均勻電場(chǎng)中，直流擊穿電壓與工頻擊穿電壓的幅值相比（）

A.接近相等
B.直流擊穿電壓的幅值高
C.工頻擊穿電壓的

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于施加在間隙上的沖擊電壓，其擊穿的電壓數(shù)值（）

A.均相等
B.具有分散性
C.隨著次數(shù)增加逐漸降低

5.單項(xiàng)選擇題能維持穩(wěn)定電暈放電的不均勻電場(chǎng)，一般可稱為（）

A.極不均勻電場(chǎng)
B.稍不均勻電場(chǎng)
C.穩(wěn)定不均勻電場(chǎng)