單項(xiàng)選擇題中國(guó)移動(dòng)定義的嵌入式M2M卡有幾個(gè)級(jí)別？
A、1
B、2
C、3
D、4
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1.單項(xiàng)選擇題NFC卡是基于什么標(biāo)準(zhǔn)提供的多應(yīng)用功能？
A、GP
B、NFC
C、ISO
D、ITU-T
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)終端處在空閑態(tài)時(shí)，LTE系統(tǒng)側(cè)可以以（）為單位追蹤終端的位置
A、小區(qū)
B、TA List
C、LA
D、RA
3.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)實(shí)體不屬于終端的射頻前端器件？
A、濾波器
B、雙工器
C、功率放大器
D、應(yīng)用處理器
4.單項(xiàng)選擇題在以下幾種制式中，USIM卡未定義優(yōu)先級(jí)的情況下，
中國(guó)大陸地區(qū)場(chǎng)景TD手機(jī)支持以下哪些制式（），
開(kāi)機(jī)選網(wǎng)的優(yōu)先級(jí)從高至低為（）：
①TD-LTE；②LTEFDD；
③TD-SCDMA；④WCDMA；⑤GSM
A、①②③⑤；
⑤③②①
B、①②③⑤；
⑤③②①
C、①③⑤；
⑤③①
D、①③⑤；
①③⑤
5.單項(xiàng)選擇題普通SIM卡可承受85°C的高溫，M2M卡可承受的溫度是多少？
A、90°C
B、100°C
C、105°C
D、120°C
最新試題
CAT5的UE不支持上行64QAM調(diào)制方式。
題型：判斷題
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí)，不允許發(fā)起TAU流程。
題型：判斷題
LTE的規(guī)劃包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
直放站增益設(shè)置時(shí)，為了抵消底噪，上行增益要大于下行增益。
題型：判斷題
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高，一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
題型：判斷題
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后，需要周期性在IMS重注冊(cè)。
題型：判斷題
I—CSCF用于在用戶接入IMS網(wǎng)絡(luò)，功能接近于一個(gè)Proxy與（UA）UserAgent。
題型：判斷題
由于同頻干擾兩個(gè)信號(hào)落在了同一段頻譜上，所以通過(guò)頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，此時(shí)可通過(guò)門(mén)控掃描的方式解決。
題型：判斷題
SecondaryCell（SCC）∶輔小區(qū)，是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立，輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
題型：判斷題
在接入成功率指標(biāo)分析過(guò)程中，通過(guò)話統(tǒng)Counter，可以執(zhí)行的動(dòng)作為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題