A、256chips
B、128chips
C、32chips
D、16chips
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A、手機(jī)發(fā)射功率只有在撥打測(cè)試時(shí)才顯示
B、手機(jī)發(fā)射功率在任何時(shí)候都顯示
C、手機(jī)發(fā)射功率在手機(jī)為IDLE狀態(tài)下不顯示
D、手機(jī)發(fā)射功率直接反應(yīng)功率控制下UE側(cè)發(fā)射功率情況
A、基站數(shù)目較多、覆蓋半徑較小、話(huà)務(wù)分布較大的區(qū)域，天線(xiàn)的水平波瓣寬度應(yīng)選得大一點(diǎn)
B、對(duì)于業(yè)務(wù)信道定向賦形，全向天線(xiàn)的水平波瓣寬度的理論值為25度
C、在城市適合65度的三扇區(qū)定向天線(xiàn)，城鎮(zhèn)可以使用水平波瓣角度為90度，農(nóng)村則可以采用105度，對(duì)于高速公路可以采用20度的高增益天線(xiàn)
D、定向天線(xiàn)在0度賦形時(shí)水平波瓣寬度的理論值為17度，40度賦形時(shí)水平波瓣寬度的理論值為12.6度
A、TS1
B、TS2
C、TS5
D、TS6
A、高于
B、低于
C、等于
D、與PCCPCH信道的配置功率無(wú)關(guān)
A、不同頻點(diǎn)
B、同一頻點(diǎn)
C、與R4同頻點(diǎn)
D、都可以
最新試題
SecondaryCell（SCC）∶輔小區(qū)，是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立，輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線(xiàn)資源。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外，網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
頻譜分析儀的最低噪聲電平和最慢掃描時(shí)間是在最小分辨帶寬下得到的。
LTE的規(guī)劃包括（）。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
由于同頻干擾兩個(gè)信號(hào)落在了同一段頻譜上，所以通過(guò)頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，此時(shí)可通過(guò)門(mén)控掃描的方式解決。
對(duì)基站進(jìn)行節(jié)能時(shí)，可以考慮在晚上0∶00以后將PB利用率低于30%的站點(diǎn)關(guān)閉。
t304定時(shí)器設(shè)置過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致（）。
LTE只需要考慮不遺漏鄰區(qū)，而不需要嚴(yán)格按照信號(hào)強(qiáng)度來(lái)排序相鄰小區(qū)。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí)，不允許發(fā)起TAU流程。