A、HSS
B、CSCF
C、AS
D、ENUM
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A、Nanocell基站直連核心網(wǎng)
B、Nanocell基站通過(guò)接入網(wǎng)關(guān)接入核心網(wǎng)
C、Nanocell通過(guò)安全網(wǎng)關(guān)和接入網(wǎng)關(guān)接入核心網(wǎng)
D、Nanocell通過(guò)AC接入核心網(wǎng)
A、鑒權(quán)授權(quán)
B、NAS信令
C、TA列表管理
D、PGW和SGW選擇
E、用戶(hù)面流量合法監(jiān)聽(tīng)
A、3DL:1UL
B、2DL:2UL
C、1DL:3UL
D、5DL:3UL
A、連續(xù)帶內(nèi)載波聚合
B、連續(xù)帶外載波聚合
C、非連續(xù)帶內(nèi)載波聚合
D、非連續(xù)帶外載波聚合
A、物理媒質(zhì)相關(guān)層
B、傳輸匯聚層
C、OMCI層
D、網(wǎng)絡(luò)層
最新試題
TAC越大,尋呼信道容量越小。
由于同頻干擾兩個(gè)信號(hào)落在了同一段頻譜上,所以通過(guò)頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,此時(shí)可通過(guò)門(mén)控掃描的方式解決。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
VOLTE中用戶(hù)在IMS注冊(cè)成功后,需要周期性在IMS重注冊(cè)。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí),不允許發(fā)起TAU流程。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
站點(diǎn)勘察時(shí)需要收集的信息句括()。
對(duì)基站進(jìn)行節(jié)能時(shí),可以考慮在晚上0∶00以后將PB利用率低于30%的站點(diǎn)關(guān)閉。