A.計(jì)算DRR
B.進(jìn)行劑量計(jì)算
C.使圖像更清晰
D.便于勾畫(huà)輪廓
E.增加像素單元數(shù)
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A.基礎(chǔ)環(huán)
B.面罩
C.定位框架
D.擺位框架
E.CT/MRI適配器
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.O層
A.射野均整度
B.射野對(duì)稱(chēng)性
C.射線(xiàn)的平均能
D.射線(xiàn)的輻射質(zhì)
E.射線(xiàn)的穿透性
A.處方劑量12~25Gy:病灶越大,處方劑量越小
B.主要適用于功能性失調(diào)、血管畸形、一些良性腫瘤和遠(yuǎn)處轉(zhuǎn)移病灶的治療
C.偶爾用于惡性顱內(nèi)腫瘤常規(guī)放射治療后的劑量推量
D.處方劑量為0.5~2Gy:病灶越大,處方劑量越小
E.可以應(yīng)用于腦垂體瘤的治療
A.校準(zhǔn)系數(shù)
B.半值深度
C.水表面的平均能量
D.實(shí)際射程
E.水下的平均能量
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線(xiàn)光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
低LET射線(xiàn)照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線(xiàn)在低劑量段有肩區(qū),提示()。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線(xiàn)能量。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。