A.1cm
B.2cm
C.5cm
D.10cm
E.100cm
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A.5KeV
B.10KeV
C.12KeV
D.15KeV
E.20KeV
A.高能X(γ)射線入射到人體或模體時(shí),在體表或皮下產(chǎn)生高能次級(jí)電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級(jí)電子射程較短,但仍需穿過(guò)一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級(jí)電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X(γ)射線隨組織深度增加,產(chǎn)生的高能次級(jí)電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實(shí)際是帶電粒子能量沉積過(guò)程
A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV
A.物理手段不能夠有效地提高治療增益
B.物理手段能夠改善靶區(qū)與周圍正常組織和器官的劑量分布
C.使治療區(qū)的形狀與靶區(qū)形狀一致,必須從兩維方向上進(jìn)行劑量分布的控制
D.“并行”組織的耐受劑量的大小不取決于受照射組織的范圍
E.腫瘤致死劑量與正常組織耐受劑量無(wú)差異
A.組織填充物
B.組織補(bǔ)償器
C.楔形板
D.射野擋塊
E.濾過(guò)板
最新試題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>