A.Hg-Hg2Cl2電極
B.標(biāo)準(zhǔn)氫電極
C.Ag-AgCl電極
D.晶體膜電極
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A.離子選擇電極
B.氣敏電極
C.金屬基電極
D.甘汞電極
A.陽(yáng)極溶出伏安法，富集電還原，溶出電氧化
B.陽(yáng)極溶出伏安法，富集電氧化，溶出電還原
C.陰極溶出伏安法，富集過程電還原，溶出電氧化
D.陰極溶出伏安法，富集過程電氧化，溶出化學(xué)反應(yīng)溶出
A.恒電流電解
B.恒電壓電解
C.控制時(shí)間電解
D.控制電流和時(shí)間電解
A.對(duì)被測(cè)物質(zhì)進(jìn)行了預(yù)電解富集
B.在懸汞電極上充電電流很小
C.電壓掃描速率較快
D.與高靈敏度的伏安法相配合
A.要求溶液中被測(cè)物質(zhì)百分之百富集于電極上
B.富集時(shí)需要攪拌或旋轉(zhuǎn)電極
C.溶出過程中，不應(yīng)該攪拌溶液
D.富集的時(shí)間應(yīng)該嚴(yán)格控制
最新試題
質(zhì)譜儀中真空系統(tǒng)的作用是使離子在真空狀態(tài)下從離子源到達(dá)檢測(cè)器。
采用外標(biāo)法檢測(cè)樣品時(shí)，對(duì)進(jìn)樣量的準(zhǔn)確性沒有要求，不適用于大批量試樣的快速分析。
場(chǎng)致變寬是指在外加場(chǎng)或者帶電粒子形成的場(chǎng)作用下，電子能級(jí)進(jìn)一步發(fā)生分裂而導(dǎo)致的變寬效應(yīng)，在原子吸收分析中，場(chǎng)變寬不是主要變寬。
石墨管式原子化器的檢測(cè)限比火焰原子化器高，注入的試樣幾乎可全部原子化，基態(tài)原子在光路中停留的時(shí)間短。
速率理論是以熱力學(xué)平衡為基礎(chǔ)的，而塔板理論是以動(dòng)力學(xué)為基礎(chǔ)的。
內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行氣相色譜定量分析時(shí)，內(nèi)標(biāo)物的色譜峰必須與各個(gè)組分的色譜峰完全分離。
高壓梯度（內(nèi)梯度）洗脫是將溶劑用高壓泵增壓后輸入色譜系統(tǒng)的梯度混合室，加以混合后送入色譜柱的過程。
AAS的火焰原子化器具有穩(wěn)定性高、使用方便等優(yōu)點(diǎn)。但火焰原子化器的霧化效率較低，原子化效率也低；且基態(tài)原子蒸氣在火焰吸收區(qū)停留時(shí)間短，原子蒸氣在火焰中被大量氣體稀釋，使得其靈敏度不高。
自然變寬是指無外界因素影響時(shí)譜線具有的寬度，該寬度比光譜儀本身產(chǎn)生的寬度要小得多，只有極高分辨率的儀器才能測(cè)出，故可忽略不計(jì)。
在AAS測(cè)試中，石墨爐原子化時(shí)，凈化溫度應(yīng)高于原子化溫度，凈化的時(shí)間為3~5s，目的是去除試樣殘留物，消除記憶效應(yīng)。