A.潛伏期長
B.成分復(fù)雜
C.要求受試者對(duì)刺激進(jìn)行主動(dòng)反應(yīng)，且受心理狀態(tài)影響明顯
D.需要進(jìn)行疊加平均
E.不需要掃描延遲
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A.大劑量中樞鎮(zhèn)靜藥物中毒
B.體溫低于32.3℃～24℃
C.休克
D.嚴(yán)重代謝和內(nèi)分泌病變
E.昏睡
A.F7—F3
B.F7—T3
C.F3—C3
D.F3—A1
E.F3—Cz
A.安放電極
B.生物校準(zhǔn)
C.校準(zhǔn)電壓
D.導(dǎo)聯(lián)選擇
E.調(diào)整儀器參數(shù)
A.靈敏度為7μV/mm或10μV/mm
B.低頻濾波< 1Hz
C.高頻濾波為70Hz
D.紙速為3cm/s
E.必須使用50Hz陷波濾波去除交流電干擾
A.青少年肌陣攣癲癇
B.兒童失神癲癇
C.兒童良性部分性癲癇
D.難治性部分性癲癇的術(shù)前評(píng)估
E.進(jìn)行性肌陣攣癲癇
A.淺睡期
B.深睡期
C.REM期
D.淺睡期和REM期
E.深睡期和REM期
A.< 1Hz
B.1～30Hz
C.1～60Hz
D.30～60Hz
E.>60Hz
A.全面性強(qiáng)直陣攣發(fā)作
B.復(fù)雜部分性發(fā)作
C.典型失神發(fā)作
D.簡單部分性發(fā)作
E.痙攣發(fā)作
A.可以通過念數(shù)字、吹風(fēng)車或吹紙條進(jìn)行誘發(fā)試驗(yàn)
B.可以使用節(jié)律性閃光刺激
C.過度換氣時(shí)，出現(xiàn)持續(xù)的600～1000μV的超高波幅δ節(jié)律暴發(fā)，并出現(xiàn)頭暈、頭痛、口周和四肢麻木，應(yīng)給予關(guān)注
D.可以使用藥物誘導(dǎo)睡眠
E.不宜進(jìn)行睡眠剝奪
A.0.3～3.5Hz
B.4～7.5Hz
C.8～13Hz
D.14～30Hz
E.>30Hz
最新試題
對(duì)成人癲癇患者而言，在頭皮腦電圖中最容易出現(xiàn)癇樣放電的部位是（）。
睡眠潛伏期的腦電圖特點(diǎn)是（）。
腦電圖上心電偽跡常表現(xiàn)為（）。
患兒男，8月齡。半歲時(shí)出現(xiàn)頻繁發(fā)作性癥狀，智能體格發(fā)育遲滯。家族史正常。出生有窒息史。腦電圖特征為背景活動(dòng)紊亂，不規(guī)則不同步高波幅慢波活動(dòng)，以及多灶性尖慢波活動(dòng)。最可能的疾病是（）。
顱骨缺損患者的波形為（）。
顳葉海馬硬化患者發(fā)作期頭皮腦電圖最易出現(xiàn)的節(jié)律是（）。
通常情況下與臨床癲癇明顯相關(guān)的“棘波”是（）。
全面強(qiáng)直陣攣發(fā)作持續(xù)時(shí)間約為（）。
患者行睡眠腦電監(jiān)測，腦電圖在δ活動(dòng)的背景上突然出現(xiàn)中一高波幅的θ節(jié)律，從額區(qū)開始向后頭部擴(kuò)散，持續(xù)5～10秒，肌電活動(dòng)明顯，該患者最可能的狀態(tài)是（）。
硬膜外血腫的腦電圖可見（）。