單項(xiàng)選擇題JFET之工作原理是控制()
A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
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1.單項(xiàng)選擇題通常接面場效晶體管(JFET)輸入阻抗大是因?yàn)椋ǎ?/a>
A.閘極的反向偏壓漏電流
B.表面效應(yīng)
C.溫度效應(yīng)
D.閘極使用順向偏壓
2.單項(xiàng)選擇題
右圖中,若Vin=10V、VBE=0.7V、VCE(SAT)=0.2V,β=50,則此晶體管工作于?()
A.作用區(qū)(順向主動區(qū))
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.反轉(zhuǎn)區(qū)(逆向主動區(qū))
3.單項(xiàng)選擇題有一空乏型(Depletion)MOSFET之IDSS=12mA,VP=-4.8V,求VGS=-2.4V時,ID=?()
A.1mA
B.2mA
C.3mA
D.4mA
4.單項(xiàng)選擇題加強(qiáng)型場效晶體管,在常態(tài)中()
A.有PN接面有逆向電流
B.無PN接面有逆向電流
C.無PN接面無逆向電流
D.有PN接面無逆向電流
5.單項(xiàng)選擇題晶體管共集極電路之特性為()
A.電流增益小
B.電壓增益大
C.功率增益大
D.相移為0°
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下列哪種類型的正弦波振蕩器輸出功率大且頻率較高?()
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