A.閃爍體發(fā)光光譜為連續(xù)譜
B.閃爍體的發(fā)光效率指將吸收的射線能量轉(zhuǎn)為光子能量的比例
C.光子產(chǎn)額指的是粒子損失單位能量產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)
D.理想閃爍體的發(fā)射光譜與吸收光譜基本重合
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A.蒽晶體
B.鋰玻璃
C.NaI(Tl)
D.BGO
A.高發(fā)光效率
B.自吸收小
C.發(fā)光時(shí)間短
D.折射率越高越好
A.射線沉積能量的過程決定了探測(cè)器的探測(cè)效率
B.快電子或重離子電離產(chǎn)生熒光,影響能量分辨率
C.熒光轉(zhuǎn)換為光電子是在閃爍體內(nèi)部完成的
D.光電倍增器用于倍增電子,放大信號(hào)
A.測(cè)量由Q決定的電壓信號(hào)幅度,就可以知道N的大小,進(jìn)而知道射線的能量
B.電子離子對(duì)產(chǎn)生在同一個(gè)位置,保證了流經(jīng)外電路的電荷量與產(chǎn)生位置無關(guān)
C.一個(gè)電子-離子對(duì),在電場(chǎng)作用下完成漂移后,外電路流過的電荷量為2e
D.射線在探測(cè)器靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生N對(duì)載流子,它們均在外加電場(chǎng)作用下漂移,這時(shí),外電路流過的電荷量為Ne
A.載流子在電場(chǎng)中漂移時(shí),外電路就會(huì)有電流
B.當(dāng)載流子到達(dá)極板時(shí),外電路產(chǎn)生一個(gè)脈沖信號(hào)
C.輸出脈沖的幅度與載流子數(shù)目、電離室電容都有關(guān)
D.電子產(chǎn)生電流信號(hào)與離子產(chǎn)生電流信號(hào)是兩個(gè)分立的過程
最新試題
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法,下列描述錯(cuò)誤的是()。
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)?()
對(duì)于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。
測(cè)量β射線的活度,下列說法錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于符合的描述,下列說法正確的是()。
下列哪種中子的波長(zhǎng)最短?()