A.可以測(cè)量單個(gè)粒子的時(shí)間信息
B.不能夠測(cè)量單個(gè)粒子的能量信息
C.脈沖電離室只能輸出電壓信號(hào),不能輸出電流信號(hào)和電荷信號(hào)
D.脈沖電離室的測(cè)量精度與復(fù)合、吸附、擴(kuò)散等物理過(guò)程無(wú)關(guān)
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A.相鄰兩個(gè)信號(hào)的時(shí)間間隔服從泊松分布
B.原子核的衰變與帶電粒子在介質(zhì)中的碰撞都可看做是互相獨(dú)立的
C.法諾分布比泊松分布更好的符合輻射測(cè)量的實(shí)際情況
D.能量分辨率服從的是高斯分布
A.因?yàn)榭倢?shí)驗(yàn)時(shí)間一定,所以就不要測(cè)量本底了
B.測(cè)量時(shí)間平分為兩半,一半測(cè)量本底,一半測(cè)量樣品與本底的和,測(cè)量的凈計(jì)數(shù)率誤差最小
C.若知道本底及樣品大致的計(jì)數(shù)率,可以分配測(cè)量時(shí)間:測(cè)量時(shí)間之比等于計(jì)數(shù)率之比
D.若本底計(jì)數(shù)率約為100/s,樣品計(jì)數(shù)率約為800/s,測(cè)量時(shí)間總共10min,則應(yīng)測(cè)量本底2.5min,測(cè)量樣品及本底7.5min
A.需要測(cè)量樣品+本底,及僅有本底的兩種情況,相減得凈計(jì)數(shù)
B.凈計(jì)數(shù)率的標(biāo)準(zhǔn)偏差為sqrt(Ns/ts2+Nb/tb2)
C.若兩次的測(cè)量時(shí)間ts=tb=t,則其對(duì)凈計(jì)數(shù)率的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差沒(méi)有影響
D.若兩次的測(cè)量時(shí)間ts≠tb,則其對(duì)凈計(jì)數(shù)率的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差沒(méi)有影響
A.設(shè)平均計(jì)數(shù)為N0,則t時(shí)間內(nèi)平均計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1/N0
B.平均計(jì)數(shù)N0可作為t時(shí)間內(nèi)計(jì)數(shù)值的數(shù)學(xué)期望的估計(jì)值
C.設(shè)平均計(jì)數(shù)為N0,則t時(shí)間內(nèi)平均計(jì)數(shù)的方差為N0/k
D.測(cè)量時(shí)間t不影響平均計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差
A.兩個(gè)隨機(jī)變量之和的標(biāo)準(zhǔn)差為兩個(gè)隨機(jī)變量標(biāo)準(zhǔn)差的和
B.兩個(gè)隨機(jī)變量之差的標(biāo)準(zhǔn)差為兩個(gè)隨機(jī)變量標(biāo)準(zhǔn)差的和
C.測(cè)量?jī)粲?jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差大于同時(shí)測(cè)量樣品加本底計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差
D.在t時(shí)間內(nèi)記錄了N個(gè)計(jì)數(shù),則計(jì)數(shù)率為n=N/t,計(jì)數(shù)率的標(biāo)準(zhǔn)偏差與相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差都與t有關(guān)
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下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響,描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
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