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填空題HCl的晶格結點上排列的粒子為（），其相互作用力為（）；SiC的晶格結點上的粒子為（），其作用力為（）；MgO晶體的晶格結點上排列的粒子為（），其使用為（）

1.填空題熱力學第一、二、三定律的數(shù)學表達式分別為（）、（）、（）。

2.填空題HI比HCl的熔沸點高是由于（），HF比HCl的熔沸點高是由于（）；I₂在CCl₄中的溶解度比在水中的溶解度大是由于（），而KCl在水中的溶解度比AgCl大是由于（）

3.填空題[Co（H₂O）₄Cl₂]Cl配合物的中文命名為（），中心離子為（），配位體為（），配位原子為（），配位數(shù)為（），配離子的電荷為（）

4.填空題第31號元素鎵（Ga）是當年預言過的類鋁，現(xiàn)在是重要的半導體材料之一。Ga的核外電子排布式為（）；價電子層為（）；它屬周期表中的第（）周期，（）族，處于（）區(qū)。

5.填空題氮原子2P軌道上的3個電子的運動狀態(tài)，若用四個量子數(shù)（n， l， m， m_s）來表述，分別為（）、（）、（）