A.導(dǎo)體表面下的渦流最弱
B.導(dǎo)體內(nèi)的渦流相位是變化的
C.渦流沿直線流動
D.沿線圈軸線的渦流最大
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A.渦流的數(shù)值大于線圈中的電流值
B.渦流受試件磁導(dǎo)率的影響
C.渦流在導(dǎo)體中無功率消耗
D.以上都不是
A.只包含缺陷信息而不顯示磁場強度的變化
B.不包含串音發(fā)生的信號
C.不包含電噪聲
D.以上都是
A.物體變熱，不能得到信息
B.插入物體抵消了所有信息
C.插入物體會使二次磁通量增強，從而產(chǎn)生一個新的磁通量，可用它提供試驗信息
D.從二次電壓中減去一次電壓，便得到凈電壓
A.渦流
B.一次線圈
C.發(fā)生器
D.以上都是
A.可以由若干個參數(shù)產(chǎn)生
B.可依據(jù)有關(guān)的變量進(jìn)行選擇
C.對不同參數(shù)的變化，響應(yīng)的相位和大小不同
D.以上都是
最新試題
什么叫做試驗線圈的視在阻抗？它在渦流檢測中有何作用？
散射線忽略不計，當(dāng)平板透照厚度的減薄量相當(dāng)于半價層的1/×?xí)r，則膠片接受的射線照射量將增大百分之幾？
當(dāng)激勵電壓加于一次繞組時，只有磁通量是同相的，且二次磁通量較小。當(dāng)試驗物體插入該線圈時，將發(fā)生什么情況（）。
以通有交流電的圓筒型線圈中放有長導(dǎo)電圓柱體試件為例，簡述福斯特模型的基本內(nèi)容。說明什么叫做有效磁導(dǎo)率？并寫出其數(shù)學(xué)表達(dá)式。
新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時，對某工件進(jìn)行射線照相的曝光時間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？
簡述滲透探傷方法的選擇原則。
JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定非熒光磁粉，每100毫升磁懸液沉淀體積為（）。
寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。
什么是實際焦點和有效焦點？x射線機說明書給出的是哪個焦點？焦點尺寸如何計算？
按操作工藝卡規(guī)定，透照焊縫時母材區(qū)最大黑度為3.0，而國標(biāo)允許的最大黑度為3.5，若其他條件不變，焦距用650mm時，焦距的測定誤差為±25mm，問在此情況下母材區(qū)黑度是否超過3.5？又最大黑度超過3.5的臨界焦距是多少？（已知1gE（D3.5）=2.17，lgE（D3.0）=2.11）