A.壓電晶片的尺寸大,則輻射功率大,可檢測距離大,指向性好,檢測效率較高
B.壓電晶片的尺寸大,則近場長度大,始波占寬較大,近表面分辨率降低,雜波多,信噪比低,遠(yuǎn)場分辨率降低
C.壓電晶片尺寸小,則近場長度短,始波占寬小,近表面分辨率高,雜波少,信噪比高,遠(yuǎn)場分辨率好
D.壓電晶片尺寸小,則輻射功率小,可檢測距離小,指向性差,檢測效率低
E.以上都對
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A.阻尼塊
B.匹配線圈
C.延遲塊
D.保護(hù)膜
A.入射點(diǎn)或探頭前沿
B.折射角
C.聲軸線偏移或偏斜
D.以上都是
A.光結(jié)表面
B.粗糙表面
C.A和B
D.視具體情況
A.頻率越低
B.頻率越高
C.頻率不變
D.以上都不對
A.連續(xù)波穿透法
B.脈沖波反射法
C.連續(xù)波共振法
D.剪切波諧振法
最新試題
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定,而缺陷的大小可由缺陷的面積或()來表征。
移動探頭找到缺陷最大回波,沿缺陷方向左右移動探頭,缺陷回波高度降低一半時,探頭中心軸線所對應(yīng)的位置即為指示長度的端點(diǎn),兩端點(diǎn)之間的直線長度即為缺陷指示長度。這種測長方法稱為()。
儀器水平線性影響()。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測,儀器顯示缺陷的聲程為S,則缺陷的水平距離l為()。
()可以檢測出與探測面垂直的橫向缺陷。
縱波直探頭徑向檢測實(shí)心圓柱時,在第一次底波之后,還有2個特定位置的反射波,這種波是()。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺階、螺紋等輪廓時將引起反射,這種波是()。
單探頭法容易檢出()。
()可以對管路、管道進(jìn)行長距離檢測。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時,適用的工件厚度為()。