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多項選擇題晶體結(jié)構(gòu)中，在同一取向上（）相同的點。

A.幾何環(huán)境
B.物質(zhì)環(huán)境
C.化學(xué)環(huán)境
D.空間環(huán)境

1.判斷題晶體的定義是內(nèi)部質(zhì)點在三維空間內(nèi)重復(fù)排列的固體。

2.單項選擇題在硅酸鹽結(jié)構(gòu)中常見的硅氧四面體連接方式中，重復(fù)單元為[Si₄O₁₁]^6-的是（）。

A.單鏈
B.雙鏈
C.二維層狀
D.三維架狀

3.單項選擇題在材料的燒結(jié)過程中，當(dāng)物質(zhì)的傳質(zhì)機理以流動傳質(zhì)方式進(jìn)行燒結(jié)時，其坯體的收縮率為（）。

A.△L/L=k_r^-1t
B.△L/L=k_r^-6/5t^2/5
C.△L/L=k_r^-3/4t^1/3
D.△L/L=0

4.單項選擇題在材料的燒結(jié)過程中，晶粒的正常生長過程中存在一個極限尺寸Dl，當(dāng)這個極限尺寸Dl的存在是由于（）。

A.燒結(jié)初期的燒結(jié)溫度較低
B.夾雜物和氣孔等對晶界移動的牽制
C.坯體中添加了燒結(jié)助劑
D.以上都不是

5.單項選擇題在材料的燒結(jié)過程中，二次再結(jié)晶是少數(shù)巨大晶粒在細(xì)晶粒消耗時的異常長大過程。這種二次再結(jié)晶屬于（）。

A.吞并周圍小晶粒而迅速長大
B.平均晶粒尺寸的長大
C.晶界移動的結(jié)果
D.以上都不是

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