A.能更準(zhǔn)確地測(cè)量缺陷高度
B.能更準(zhǔn)確地測(cè)量缺陷長度
C.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷上表面附近的缺陷
D.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷底面附近的缺陷
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A.二次波檢測(cè)可以解決焊縫余高過寬影響探頭設(shè)置的困難
B.二次波檢測(cè)可以解決直通波盲區(qū)造成的近表面裂紋漏檢
C.二次波檢測(cè)以二次反射表面產(chǎn)生的波作為底面波
D.二次波檢測(cè)時(shí)探頭間距不能太大,以確?;夭ㄔ诘撞úㄐ娃D(zhuǎn)換之前到達(dá)
A.采用的TOFD和脈沖反射法組合檢測(cè)
B.檢測(cè)筒體縱焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
C.檢測(cè)筒體環(huán)焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
D.從內(nèi)表面和外表面進(jìn)行兩次掃查
A.提高缺陷長度測(cè)量的精度
B.增大有效檢測(cè)范圍
C.消除底面焊縫成形不良的影響
D.有利于發(fā)現(xiàn)焊縫中的橫向缺陷
A.0.85mm
B.0.50mm
C.5.27mm
D.0.23mm
A.在大于50℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
B.在100℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
C.在150℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
D.在200℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
最新試題
底片的最佳黑度值與觀片燈的亮度有關(guān),觀片燈亮度改變,最佳黑度值也將改變。
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
不同材料的相對(duì)吸收系數(shù)()
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是()
通常所謂20KV的X射線是指()
對(duì)于鉬靶X射線管,在管電壓低于()千伏時(shí)是不會(huì)產(chǎn)生特征X射線的。
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí),部分被物體吸收,部分則穿透該物體,還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射,此散射為()
影響較大的散射線通常來自()