單項(xiàng)選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體是屬于間隙型的？（）

A.Li
B.B
C.P
D.Al


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1.單項(xiàng)選擇題與氣體探測(cè)器相比，下列哪一項(xiàng)不是半導(dǎo)體探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)？（）

A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷

2.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)不是閃爍探測(cè)器必備的構(gòu)成部分？（）

A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器

3.單項(xiàng)選擇題閃爍探測(cè)器的特點(diǎn)不包括下面哪項(xiàng)？（）

A.探測(cè)效率高
B.時(shí)間特性好
C.用途廣泛，閃爍體選擇多
D.適合于測(cè)量帶電粒子，不適合測(cè)量不帶電粒子

4.單項(xiàng)選擇題處于電流脈沖型工作狀態(tài)的閃爍探測(cè)器，其輸出脈沖幅度與下列哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

A.陽(yáng)極收集的總電荷量
B.閃爍體的發(fā)光衰減時(shí)間常數(shù)
C.輸出回路等效電容
D.輸出回路等效電阻

5.單項(xiàng)選擇題單晶閃爍譜儀中閃爍體的尺寸變大時(shí)，其峰總比和峰源效率將如何變化？（）

A.峰總比變大，峰源效率變大
B.峰總比變大，峰源效率變小
C.峰總比變小，峰源效率變大
D.峰總比變小，峰源效率變小