問(wèn)答題

對(duì)顆粒涂布型磁存儲(chǔ)材料，假定單疇退磁場(chǎng)能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為

1）存在一個(gè)臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時(shí)，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時(shí)，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。
2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個(gè)不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系


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1.單項(xiàng)選擇題壓電材料與鐵電材料的關(guān)系是（）

A.前者包含后者
B.前者屬于后者
C.沒(méi)有關(guān)系

2.單項(xiàng)選擇題電介質(zhì)材料（）

A.以感應(yīng)方式來(lái)傳遞外界電場(chǎng)的作用和影響
B.以傳導(dǎo)方式來(lái)傳遞外界電場(chǎng)的作用和影響
C.對(duì)外界電場(chǎng)無(wú)響應(yīng)

3.單項(xiàng)選擇題陶瓷材料中化學(xué)鍵主要是（）

A.氫鍵和分子鍵
B.離子間和共價(jià)鍵
C.金屬鍵

4.單項(xiàng)選擇題（）可以用于畸變像復(fù)原。

A.激光變頻晶體
B.電光晶體的應(yīng)用
C.光折變晶體的應(yīng)用

5.單項(xiàng)選擇題下面不是非線(xiàn)性光學(xué)現(xiàn)象的是（）

A.光混頻與光參量振蕩
B.晶體的光折變效應(yīng)
C.晶體的光電效應(yīng)