單項(xiàng)選擇題
右圖之電路，若|IDSS|=4mA，VP=4V，則VGS為（）
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
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1.單項(xiàng)選擇題
如圖之電路，其參數(shù)值gm=2mA/V，rd=40k，若RD=20k，則電壓增益Av為（）
A.－57
B.－38
C.－26.6
D.－20.5
2.單項(xiàng)選擇題FET共泄極放大器的電壓增益（）
A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1
3.單項(xiàng)選擇題TO－3包裝之功率晶體管，其外殼為（）
A.集極
B.射極
C.基底（substrate）
D.基極
4.單項(xiàng)選擇題典型金氧半晶體管（MOSFET）的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆？（）
A.108
B.109
C.1010
D.1014
5.單項(xiàng)選擇題輸入電阻最高的放大器是（）
A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器
最新試題
非門(mén)電路（NOT Gate）的主要功能是什么？（）
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