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問答題有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時(shí)電阻率是10Ω∙cm。今用光照射該樣品，光被半導(dǎo)體均勻的吸收，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率是10²²cm^-3∙s^-1，試計(jì)算光照下樣品的電阻率，并求電導(dǎo)中少數(shù)在流子的貢獻(xiàn)占多大比例？

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1.問答題用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為，空穴壽命為τ。求出光照下達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)的過載流子濃度。

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2.問答題用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為，空穴壽命為τ。寫出光照下過剩載流子所滿足的方程

參考答案：

3.問答題 在一個(gè)n型半導(dǎo)體樣品中，過剩空穴濃度為10¹³cm^-3，空穴的壽命為100us。計(jì)算空穴的復(fù)合率。已知：

求：U=？

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4.問答題在忽略界面態(tài)影響的情況下，可用什么實(shí)驗(yàn)方法測量MIS結(jié)構(gòu)的絕緣層中的可動(dòng)電荷，說明實(shí)驗(yàn)步驟和計(jì)算依據(jù)。

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5.問答題若費(fèi)米能級(jí)E_F=5eV，利用費(fèi)米函數(shù)計(jì)算在什么溫度下電子占據(jù)E=5.5eV能級(jí)的幾率為1%？計(jì)算在該溫度下電子分布幾率從0.1～0.9所對(duì)應(yīng)的能量區(qū)間。

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