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填空題動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM利用電容器的（）來(lái)存儲(chǔ)信息，這種過(guò)程叫（）；而靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM則無(wú)須動(dòng)態(tài)刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。

1.填空題第一代內(nèi)存采用（），第二代內(nèi)存采用（），第三代內(nèi)存采用（）。

2.填空題程序指令是依次存放在內(nèi)存中的，由CPU內(nèi)的（）控制指令的運(yùn)行，一條指令至少要經(jīng)歷（）、（）、（）和存放操作結(jié)果這樣四個(gè)階段才能完成它的運(yùn)行。

3.填空題用來(lái)指揮硬件動(dòng)作的命令稱(chēng)（），它依次由（）和（）兩部分組成，前者指示（）的動(dòng)作，后者指示（）的對(duì)象，并且，后者往往是（），它直接或間接表示了（），根據(jù)地址碼去找操作數(shù)的方法稱(chēng)（）。

4.填空題CPU與存儲(chǔ)器之間在速度的匹配方面存在著矛盾，一般采用多級(jí)（）來(lái)解決或緩和矛盾，按速度的快慢排列，它們是CPU、（）、內(nèi)存、（）。

5.填空題內(nèi)存由許許多多字節(jié)組成，每個(gè)字節(jié)有其唯一的編碼叫（），CPU對(duì)內(nèi)存單元的存取是（）的。