單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）

A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）

A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時

4.單項選擇題N型半導(dǎo)體內(nèi)的電洞為（）

A.少數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
B.少數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
C.多數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
D.多數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生

5.單項選擇題一般PN二極管兩端的順向偏壓隨溫度的變化量約為（）

A.-2.5mV/℃
B.-25mV/℃
C.+2.5mV/℃
D.+25mV/℃
E..+0.25mV/℃。