單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管具有()工作區(qū)域。
A.5
B.4
C.3
D.2
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1.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管當(dāng)發(fā)射極電壓等于()電壓時(shí),單結(jié)晶體管導(dǎo)通。
A.谷點(diǎn)
B.飽和
C.額定
D.峰點(diǎn)
2.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管當(dāng)發(fā)射極電壓減小到()電壓時(shí),單結(jié)晶體管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂埂?/a>
A.谷點(diǎn)
B.飽和
C.工作
D.峰點(diǎn)
3.單項(xiàng)選擇題一般單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓在()V。
A.1~3
B.2~5
C.2~7
D.3~6
4.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管“BT33”中,第四位的“3”表示()。
A.3個(gè)電極
B.3個(gè)工作區(qū)域
C.3個(gè)基極
D.3個(gè)
5.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管“BT33”中,第三位的“3”表示耗散功率為()mW。
A.3
B.30
C.300
D.3000
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電阻并聯(lián)電路的特點(diǎn)不正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
防止電火花引起的瓦斯煤塵爆炸事故,下面說法錯(cuò)誤的是()。
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
工作面通訊控制裝置的完好標(biāo)準(zhǔn)對(duì)主回路絕緣性能的要求1140V不低于()MΩ。
題型:單項(xiàng)選擇題