單項(xiàng)選擇題（）內(nèi)部空穴數(shù)量多于自由電子數(shù)量。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.雜質(zhì)半導(dǎo)體


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于擴(kuò)散電流的描述中，錯(cuò)誤的是（）

A.由濃度差引起的載流子的定向運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生
B.是半導(dǎo)體特有的一種電流
C.半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài)時(shí)不存在
D.濃度梯度越小，擴(kuò)散電流越大

2.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于漂移電流的描述中，錯(cuò)誤的是（）

A.是在外電場(chǎng)作用下產(chǎn)生的載流子的定向運(yùn)動(dòng)
B.是半導(dǎo)體特有的電流
C.遷移率越高，漂移電流越大
D.電導(dǎo)率越高，漂移電流越大

3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體器件受溫度影響較大的主要原因是（）

A.多子濃度對(duì)溫度敏感
B.少子濃度對(duì)溫度敏感
C.多子濃度對(duì)摻雜敏感
D.少子濃度對(duì)摻雜敏感

4.單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度升高，多子濃度（），少子濃度（）

A.顯著增加，顯著增加
B.近似不變，顯著增加
C.近似不變，近似不變
D.顯著減少，近似不變

5.單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體中，摻雜越多，多子（），少子（）

A.越多，越多
B.越多，不變
C.越多，越少
D.越少，越少