多項選擇題在MOS的交流小信號等效電路中，gm是（）。

A.描述器件在飽和區(qū)正向受控作用的關(guān)鍵參數(shù)
B.器件互導(dǎo)參數(shù)
C.描述輸出端口電壓電流關(guān)系的參數(shù)
D.描述器件輸入輸出信號主要控制關(guān)系的參數(shù)


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1.單項選擇題?PN結(jié)的形成過程可以簡述如下（）。

A.少子漂移，多子擴散，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，達(dá)到動態(tài)平衡
B.多子擴散，少子漂移，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，達(dá)到動態(tài)平衡
C.多子擴散，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，少子漂移，達(dá)到動態(tài)平衡
D.少子漂移，空間電荷區(qū)出現(xiàn)，多子擴散，達(dá)到動態(tài)平衡

2.單項選擇題?設(shè)計一個高輸入電阻和高輸出電阻的放大器，需要引入的反饋類型為（）。

A.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
B.電流并聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
D.電流串聯(lián)負(fù)反饋

4.單項選擇題當(dāng)負(fù)反饋電路采用恒壓激勵，且要求恒壓輸出時，應(yīng)引入（）。

A.電流串聯(lián)負(fù)反饋
B.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋

5.單項選擇題?NPN晶體三極管須滿足的的工藝條件（）。

A.發(fā)射區(qū)高摻雜
B.集電結(jié)面積遠(yuǎn)大于發(fā)射結(jié)面積
C.基區(qū)很薄
D.以上都是