單項選擇題在巴申曲線擊穿電壓最低值右側(cè)，因碰撞電離概率起主導(dǎo)作用，而碰撞次數(shù)起次要作用，隨著氣壓與極距乘積值加大，擊穿電壓（）。
A.不變
B.降低
C.突變
D.提高
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1.單項選擇題湯森德理論闡述了（）氣體的放電過程。
A.短間隙
B.大間隙
C.固體中
D.長間隙
2.單項選擇題起始電子在電場作用下發(fā)生碰撞電離，使（）迅速增加的現(xiàn)象稱為電子崩。
A.復(fù)合離子
B.帶電質(zhì)子
C.游離分子
D.運動電子
3.單項選擇題一般所說的電子崩，往往是指電子崩區(qū)域，電子崩頭的電荷密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于崩的中部和崩的尾部，且（）集中在崩頭。
A.正電荷
B.分子流
C.負(fù)電荷
D.離子流
4.單項選擇題試驗表明，擊穿通道是局限在狹窄的（）形通道中，且有分支，說明放電過程與局部條件有關(guān)，有偶然因素。
A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐
5.單項選擇題當(dāng)外加（）很高，達(dá)到間隙的擊穿場強(qiáng)時，電子崩的發(fā)展形成流注，實現(xiàn)擊穿。
A.電壓
B.電場
C.磁場
D.能量
最新試題
集成穩(wěn)壓器的取樣點，應(yīng)靠近（）。
題型：單項選擇題
半控單相橋式晶閘管整流電路是半橋為晶閘管，另半橋為（）。
題型：單項選擇題
電力系統(tǒng)的（）調(diào)整與發(fā)電機(jī)單位調(diào)節(jié)功率有關(guān)。
題型：單項選擇題
當(dāng)負(fù)荷變動周期較大、（）較大時，僅靠“一次調(diào)整”不一定能保證頻率偏移在允許波動的范圍之內(nèi)。
題型：單項選擇題
以一臺發(fā)電機(jī)和一個綜合負(fù)荷系統(tǒng)為例，當(dāng)（）有一個很小的增加值時，發(fā)電機(jī)組的功率不能及時隨之變動，機(jī)組將減速，系統(tǒng)頻率下降。
題型：單項選擇題
當(dāng)電力系統(tǒng)的電壓降低時，各類負(fù)荷中占比重較大的異步電動機(jī)的影響隨（）的增大而增大。
題型：單項選擇題
三相半波晶閘管整流電路線路簡單，但是會造成電網(wǎng)（）。
題型：單項選擇題
集成穩(wěn)壓器對于最小壓差必須在輸入為（）時也能滿足要求。
題型：單項選擇題
串聯(lián)式穩(wěn)壓電源的（）高。
題型：單項選擇題
并聯(lián)式直流穩(wěn)壓電源穩(wěn)壓系數(shù)差，輸出內(nèi)阻大，輸出（）小。
題型：單項選擇題