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問答題編程求內(nèi)部RAM中40H～4FH共16個單元中的內(nèi)容的和（結(jié)果為2字節(jié)），并將和放入50H和51H單元中（高8位在50H）。

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1.問答題設(shè)有兩個長度為16字節(jié)的數(shù)組，分別存放在外部RAM0200H和0300H為首址的存儲區(qū)域中，試編寫程序求其對應(yīng)項之和（不考慮溢出的情況），結(jié)果存放在以0400H為首址的外部RAM中。

參考答案：

2.問答題內(nèi)部RAM30H開始的單元中存放著16個0-9的ASCII碼（高位字節(jié)在前），請將其轉(zhuǎn)換為壓縮BCD碼（高位在前）并存入外部RAM1000H開始的單元中。

參考答案：

3.問答題將存放在內(nèi)部RAM30H-35H單元的十六進制數(shù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的ASCII碼，依次存放到外部RAM1100H開始的單元區(qū)中。

參考答案：

4.問答題將存放在內(nèi)部RAM20H-3FH單元的壓縮BCD碼轉(zhuǎn)換成ASCII碼，依次存放到外部RAM2300H開始的單元中。

參考答案：

5.問答題請編寫多字節(jié)無符號數(shù)減法程序。被減數(shù)存放在內(nèi)部RAM20H開始的16個單元中，減數(shù)存放在內(nèi)部RAM30H開始的16個單元，請將差存放到外部RAM2000H開始的16個單元中，借位存放到OV標志中。注意：所有數(shù)據(jù)均按照從低字節(jié)到高字節(jié)的順序存放。

參考答案：