單項(xiàng)選擇題關(guān)于氣體探測(cè)器載流子的產(chǎn)生,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.入射的粒子將能量傳給氣體分子,產(chǎn)生電離或激發(fā),進(jìn)而產(chǎn)生載流子
B.通過(guò)軔致輻射產(chǎn)生的低能X射線,對(duì)載流子基本沒(méi)有貢獻(xiàn),所以在任何實(shí)驗(yàn)中都不需要考慮此過(guò)程
C.γ射線需要先產(chǎn)生帶電粒子才能夠沉積能量,產(chǎn)生載流子
D.如果中子能與探測(cè)器內(nèi)的氣體發(fā)生核反應(yīng)產(chǎn)生帶電粒子,則可以沉積能量,產(chǎn)生載流子


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1.單項(xiàng)選擇題氣體探測(cè)器中的載流子是()。

A.電子
B.離子
C.氣體分子
D.電子-離子對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于G-M計(jì)數(shù)管的說(shuō)明正確的是()。

A.G-M計(jì)數(shù)管工作在有限正比區(qū)
B.G-M計(jì)數(shù)管可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
C.自熄對(duì)于提升G-M計(jì)數(shù)管的時(shí)間響應(yīng)有重要意義
D.G-M計(jì)數(shù)管的死時(shí)間屬于擴(kuò)展型死時(shí)間

3.單項(xiàng)選擇題下列對(duì)正比計(jì)數(shù)器的描述錯(cuò)誤的是()。

A.碰撞電離只有電子能完成,離子不能
B.光子反饋會(huì)形成新的雪崩過(guò)程,增大信號(hào),所以不需要控制
C.電流脈沖I(t)的形狀一定,與入射粒子的位置無(wú)關(guān)
D.測(cè)量一個(gè)信號(hào)的時(shí)間在μs級(jí),可獲得快的時(shí)間響應(yīng)

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于累計(jì)電離室說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.輸出信號(hào)通常為直流電流信號(hào)或電壓信號(hào)
B.累計(jì)電離室不能測(cè)量入射粒子的數(shù)量
C.累計(jì)電離室和脈沖電離室是兩種測(cè)量原理不同的氣體探測(cè)器
D.累計(jì)電離室存在一定的線性范圍,超出范圍則輸出幅度與入射粒子流強(qiáng)度不成正比

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于脈沖電離室的工作特性,下列說(shuō)法正確的是()。

A.飽和特性曲線用于描述脈沖幅度與射線強(qiáng)度的關(guān)系
B.坪特性曲線用于描述計(jì)數(shù)率與工作電壓的關(guān)系
C.對(duì)于帶電粒子或不帶電粒子,本征探測(cè)效率小于1的原因是一樣的
D.分辨時(shí)間主要取決于輸出電路的參數(shù),與放大器等后續(xù)電子學(xué)無(wú)關(guān)