問答題玉米卷葉基因（e）和矮稈基因（d）位于第三染色體上，相距18個(gè)單位，而抗銹基因（R）和窄葉基因（N）位于第10染色體上，相距24個(gè)單位。顯性基因E、D、R和N的純合植株同這些基因的隱性植株雜交，確定：在F2代中穩(wěn)定的矮稈、抗銹和正常葉的植株的期望百分率是多少？
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題型：多項(xiàng)選擇題
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