單項(xiàng)選擇題透納二極管（Tunnel Diode）在順向時(shí)為一（）
A.良導(dǎo)體
B.絕緣體
C.具負(fù)電阻特性
D.半導(dǎo)體
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1.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，若Zener二極管崩潰電壓為10V，且12V≤Vi≤15V，500Ω≤RL≤1000Ω，則Zener二極管所消耗之最大功率為？（）
A.0.5W
B.0.4W
C.0.3W
D.0.2W
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的電流如何產(chǎn)生？（）
A.僅由電子
B.僅由電洞
C.正、負(fù)離子
D.電子和電洞均有
3.單項(xiàng)選擇題理想的砷化鎵二極管其切入電壓為？（）
A.0V
B.0.2V
C.0.6V
D.1.1V
4.單項(xiàng)選擇題稽納電壓在5V時(shí)，是屬于何種崩潰效應(yīng)（）
A.稽納崩潰
B.累增崩潰
C.以上皆可能
D.以上皆非
5.單項(xiàng)選擇題一個(gè)理想的鍺質(zhì)PN二極管，在溫度為75℃時(shí)，其動(dòng)態(tài)電阻rd=3Ω，若在順向電流不變下，溫度提高至133℃時(shí)，其rd為何？（）
A.3Ω
B.3.5Ω
C.4Ω
D.4.5Ω
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74LS163的清除功能是如何實(shí)現(xiàn)的？（）
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或門電路（OR Gate）的邏輯功能可以描述為（）
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關(guān)于RC正弦波振蕩器的說(shuō)法，正確的是（）
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