問(wèn)答題試畫(huà)出CMOS雙阱工藝中器件結(jié)構(gòu)的剖面圖并在其上標(biāo)注出主要材料層的名稱(chēng)。
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點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
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半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
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漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題