A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
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A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
A.NPN型硅管
B.PNP型鍺管
C.NPN型鍺管
D.PNP型硅管
A.集電極
B.基極
C.發(fā)射極
A.P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子為空穴，所以它帶正電
B.N型半導(dǎo)體多數(shù)載流子為自由電子，所以它帶負(fù)電
C.P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體本身都不帶電
D.在N型半導(dǎo)體中，空穴是多子，自由電子是少子
最新試題
多個(gè)復(fù)阻抗串聯(lián)時(shí)，總阻抗Z=Z1+Z2+Z3+…。
時(shí)間繼電器是一種過載保護(hù)電器。
刀開關(guān)是用來接通或分?jǐn)嚯娐返氖謩?dòng)電器。
換路定律指出換路瞬間電感電流不跳變，即iL（0+）=iL（0-）。
晶體管工作在飽和區(qū)發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正偏，晶體管集-射極的電壓很小。
本征半導(dǎo)體入三價(jià)元素后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。
晶體管工作在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管集電極電流等于電流放大系數(shù)乘于基極電流。
輸出電阻是表明放大電路帶負(fù)載能力的參數(shù)。電路的輸出電阻愈小，負(fù)載變化時(shí)輸出電壓的變化愈小，一般總是希望得到較小的輸出電阻。
有電壓源和電流源共同作用的電路中，電流源單獨(dú)作用時(shí)，不作用的電壓源應(yīng)該短路。
或非門表示只有當(dāng)輸入A和B全是1時(shí)，輸出F才為0。