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問(wèn)答題試編程：將片內(nèi)RAM50H、51H單元二個(gè)無(wú)符號(hào)數(shù)中較小的數(shù)存與60H單元。

1.問(wèn)答題試編程：將累加器A內(nèi)容低四位送片外RAM7AH單元，高4位送片外RAM7BH單元，7AH、7BH單元的高4位均清零。

2.問(wèn)答題試編程：有兩個(gè)雙字節(jié)壓縮的BCD碼數(shù)相加，設(shè)這兩待加數(shù)分別按先低后高原則存放在30H、31H和40H、41H單元，和要求放回30H、31H單元。

3.問(wèn)答題試編程：將兩個(gè)四位二進(jìn)制數(shù)并存與一個(gè)字節(jié)。

4.問(wèn)答題 有程序如下：

（1）區(qū)分哪些是位操作指令？哪些是字節(jié)操作指令？
（2）寫出程序執(zhí)行后，片內(nèi)RAM有關(guān)單元的內(nèi)容。

5.問(wèn)答題 下列程序段經(jīng)過(guò)匯編后，從1000H開始的各有關(guān)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容將是什么？