集成電路工藝原理章節(jié)練習(2019.05.06)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：距Si/SiO2界面2nm以內(nèi)的Si的不完全氧化是帶正電的固定氧化物電荷區(qū)；對于器件的正常工作，界面處的電荷堆積是不受歡... 參考答案：安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無脫落，BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設備和工藝基本兼容。
先將... 參考答案：
是升高溫度的情況下給摻雜氧化硅加熱，使它發(fā)生流動。
參考答案：為了同時滿足對表面濃度、雜質(zhì)總量以及結深等的要求，實際生產(chǎn)中常采用兩步擴散工藝：第一步稱為預擴散或預淀積，在較低的溫度下... 參考答案：間隙式擴散指間隙式雜質(zhì)從一個間隙位置運動到相鄰的間隙位置。 參考答案：意義：集成電路（IC.測試是伴隨著集成電路的發(fā)展而發(fā)展的，它對促進集成電路的進步和應用作出了巨大地貢獻。
任務... 參考答案：高能離子注入硅片后與靶原子發(fā)生一系列碰撞，可能使靶原子發(fā)生位移，被位移原子還可能把能量依次傳給其它原子，結果產(chǎn)生一系列的...
