下圖為簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣晶胞，AC的晶向指數(shù)是（）。
（1）畫出O2-作而心立方堆積時(shí)，各四面體空隙和八面體空隙的所在位置（以一個(gè)晶胞為結(jié)構(gòu)基元表示出來）。 （2）計(jì)算四面體空隙數(shù)、八而體空隙數(shù)與O2-數(shù)之比。 （3）根據(jù)電價(jià)規(guī)則，在下面情況下，空隙內(nèi)各需填入何種價(jià)數(shù)的陽離子，并對(duì)每一種結(jié)構(gòu)舉出—個(gè)例子。 （a）所有四面體空隙位置均填滿； （b）所有八而體空隙位置均填滿； （c）填滿—半四面體空隙位置； （d）填滿—半八面休空隙位置
在某種材料中，某種粒子的晶界擴(kuò)散系數(shù)與體積擴(kuò)散系數(shù)分別為Dgb=2.00×10-10exp（-19100/T）和Dv=1.00×10-4exp（-38200/T），是求晶界擴(kuò)散系數(shù)和體積擴(kuò)散系數(shù)分別在什么溫度范圍內(nèi)占優(yōu)勢(shì)？
