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半導體物理問答題每日一練(2020.05.26)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題價帶頂電子有效質(zhì)量

參考答案：

2.問答題摻有濃度為每立方米為10²²硼原子的硅材料，請計算300K。

參考答案：

3.問答題MOS結(jié)構(gòu)怎么使半導體產(chǎn)生從堆積、耗盡到反型的變化？

參考答案：

4.問答題說明摻雜對半導體導電性能的影響。

參考答案：在純凈的半導體中摻入雜質(zhì)后，可以控制半導體的導電特性。摻雜半導體又分為n型半導體和p型半導體。例如，在常溫情況下，本征S...

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5.問答題當E-EF為1.5k₀T，4k₀T，10k₀T時，分別用費米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計算電子占據(jù)各該能級的概率。

參考答案：

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