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半導(dǎo)體物理問答題每日一練(2020.05.27)
來源:考試資料網(wǎng)
1.問答題
說明pn結(jié)空間電荷區(qū)如何形成?
參考答案:
當(dāng)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體結(jié)合形成pn結(jié)時(shí),由于兩者之間存在載流子濃度梯度,從而導(dǎo)致了空穴從p區(qū)到n區(qū)、電子從n區(qū)到p區(qū)的...
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2.問答題
請(qǐng)解釋什么是肖特基勢(shì)壘二極管,并說明其與pn結(jié)二極管的異同。
參考答案:
利用金屬半導(dǎo)體接觸形成的具有整流特性的二極管稱為肖特基勢(shì)壘二極管。
肖特基勢(shì)壘二極管和pn結(jié)二極管具有類似的電...
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3.問答題
簡(jiǎn)述集成電阻器和電容器的優(yōu)缺點(diǎn)。
參考答案:
優(yōu)點(diǎn):元件間的匹配及溫度跟蹤好
缺點(diǎn):
①精度低,絕對(duì)誤差大;
②可制作范圍有限,不能太大,也不...
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4.問答題
有一塊n型硅樣品,壽命是1us,無光照時(shí)電阻率是10Ω∙cm。今用光照射該樣品,光被半導(dǎo)體均勻的吸收,電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率是10
22
cm
-3
∙s
-1
,試計(jì)算光照下樣品的電阻率,并求電導(dǎo)中少數(shù)在流子的貢獻(xiàn)占多大比例?
參考答案:
5.問答題
試用一維非均勻摻雜(摻雜濃度隨x的增加而下降),非簡(jiǎn)并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛因斯坦關(guān)系式:
參考答案: