問(wèn)答題說(shuō)明不同的固液生長(zhǎng)界面形狀（凸、凹、平）對(duì)電阻率徑向分布的影響。
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1.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
2.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶縱向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CZ法中雜質(zhì)摻入辦法及其選擇依據(jù)。
4.名詞解釋雙氣流MPVPE
5.名詞解釋二步外延法
最新試題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題