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判斷題氧化鋁（Al₂O₃）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si₃N₄）的介電常數(shù)。

1.判斷題MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

2.判斷題半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

3.判斷題絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

4.判斷題理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

5.判斷題p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。