問(wèn)答題有一nMOS E /D反相器，若VTE=2V，VTD=-2V，KNE/KND=25，VDD=2V，求此反相器的高、低輸出邏輯電平是多少？
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試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
OED/ORD
題型：名詞解釋
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。
題型：判斷題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型：判斷題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型：判斷題