單項選擇題

如圖所示，設D1、D2為理想二極管，試求Vo=？（）

A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
E.5V


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1.單項選擇題下列有關半導體之敘述，何者錯誤？（）

A.外質(zhì)半導體的導電性較本質(zhì)半導體好
B.N型半導體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導體加入的雜質(zhì)為五價元素

2.單項選擇題PN半導體加逆向偏壓時會有些許電流產(chǎn)生，乃是因為（）所引起.

A.正離子
B.負離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子

3.單項選擇題當逆向偏壓從10V減少到5V時，二極管接面的空乏區(qū)將（）

A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰

4.單項選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成（）

A.鍺
B.P型半導體
C.N型半導體
D.空乏區(qū)