多項(xiàng)選擇題晶體中存在下列哪些因素將導(dǎo)致晶體不是理想晶體()

A.點(diǎn)缺陷 
B.縫隙原子 
C.面缺陷 
D.線缺陷 
E.離子空缺


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1.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)陣中的點(diǎn)是()

A.連續(xù)的 
B.分立的 
C.團(tuán)聚的
D.不規(guī)則的 
E.波動(dòng)的

2.單項(xiàng)選擇題可作為均相催化劑()

A.固體
B.金屬羰基化合物 
C.分子篩 
D.石墨 
E.氧化鈷

3.單項(xiàng)選擇題影響催化劑穩(wěn)定性的因素有()種。

A.1 
B.3 
C.2
D.6種以上 
E.5

4.單項(xiàng)選擇題工業(yè)催化劑應(yīng)具備()方面的基本要求。

A.2 
B.5 
C.4 
D.1 
E.6

5.單項(xiàng)選擇題結(jié)構(gòu)性助催化劑改變活性組分的()

A.電子結(jié)構(gòu) 
B.熔點(diǎn) 
C.顆粒大小 
D.沸點(diǎn)

最新試題

簡(jiǎn)述對(duì)于負(fù)載型催化劑, 載體的主要作用

題型:?jiǎn)柎痤}

吸附平衡是指();吸附平衡與()、()和()等有關(guān);吸附平衡有三種表示方式,分別為()吸附平衡、()吸附平衡和等溫吸附平衡。

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試從位能曲線圖說(shuō)明H2在金屬Ni 上經(jīng)由吸附使活化能下降的原理。

題型:?jiǎn)柎痤}

超臨界流體的定義是()

題型:填空題

丁烯氧化脫氫制丁二烯反應(yīng):CH 3-CH 2-CH 2=CH 2+1/2O 2→CH 2=CH 2-CH 2=CH 2+H 2O,由下列反應(yīng)步驟組成:①CH 3-CH 2-CH 2=CH 2+2Mo 6++O 2-(晶格)→CH 2=CH 2-CH 2=CH 2+2Mo 5++H 2O②2Bi 3++2Mo 5+→2Bi 2++2Mo 6+③2Bi 2++1/2O 2→2Bi 3++O 2-(晶格)試畫(huà)出其催化反應(yīng)循環(huán)。

題型:?jiǎn)柎痤}

擴(kuò)散可分為()擴(kuò)散和()擴(kuò)散。對(duì)于催化反應(yīng)擴(kuò)散可影響到催化反應(yīng)速率,當(dāng)氣流線速增加,表觀速率增加,說(shuō)明是()擴(kuò)散控制;當(dāng)表觀速率與催化劑粒度成反比,說(shuō)明是()擴(kuò)散控制。

題型:填空題

簡(jiǎn)述分子篩的結(jié)構(gòu)特征、分子篩的催化作用

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Ea、 Eb、 Ec、 Ed 各代表什么能量?

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圖中2條曲線分別代表何種類(lèi)型的吸附?

題型:?jiǎn)柎痤}

對(duì)于金屬催化劑,其表面原子數(shù)占總原子數(shù)的百分比叫做()

題型:填空題