A.時(shí)間
B.溫度
C.壓力
D.吸附劑
E.吸附質(zhì)
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A.容積擴(kuò)散
B.構(gòu)型擴(kuò)散
C.氣相擴(kuò)散
D.努森（Knudsen）擴(kuò)散
E.液相擴(kuò)散
A.吸附
B.脫附
C.內(nèi)擴(kuò)散
D.表面反應(yīng)
E.外擴(kuò)散
A.點(diǎn)缺陷
B.縫隙原子
C.面缺陷
D.線缺陷
E.離子空缺
A.連續(xù)的
B.分立的
C.團(tuán)聚的
D.不規(guī)則的
E.波動(dòng)的
A.固體
B.金屬羰基化合物
C.分子篩
D.石墨
E.氧化鈷
最新試題
吸附平衡是指（）；吸附平衡與（）、（）和（）等有關(guān)；吸附平衡有三種表示方式，分別為（）吸附平衡、（）吸附平衡和等溫吸附平衡。
根據(jù)所采用的吸附模型不同，吸附等溫式可分為：Langmuir 吸附等溫式，F(xiàn)reundlich 吸附等溫式，Tenkin 吸附等溫式。其中吸附熱Q 隨覆蓋度的增大呈指數(shù)下降的是Freundlich 吸附。吸附熱Q 隨覆蓋度的增加呈線性下降的是（）吸附。Freundlich 吸附等溫式適用于（）吸附；Tenkin 吸附等溫式適用于（）吸附。
擴(kuò)散可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散。對(duì)于催化反應(yīng)擴(kuò)散可影響到催化反應(yīng)速率，當(dāng)氣流線速增加，表觀速率增加，說明是（）擴(kuò)散控制；當(dāng)表觀速率與催化劑粒度成反比，說明是（）擴(kuò)散控制。
沸石分子篩的基本結(jié)構(gòu)單元為（）和（）
超臨界流體的定義是（）
試從位能曲線圖說明H2在金屬Ni 上經(jīng)由吸附使活化能下降的原理。
配合物是指（）的化合物
根據(jù)半導(dǎo)體的能帶理論，半導(dǎo)體的能帶可分為導(dǎo)帶， （） ，（） ， 和 （） 。 電子導(dǎo)電稱為 （） 型半導(dǎo)體， 空穴導(dǎo)電成為 （） 型半導(dǎo)體。 如果半導(dǎo)體中負(fù)離子缺位， 則為 （） 型半導(dǎo)體。 P 型半導(dǎo)體（ NiO） 上 CO 氧化反應(yīng)， 若 CO 吸附生成正離子為決速步驟， 則在 NiO 中引入 （） 離子有利于反應(yīng)性能的提高。
簡(jiǎn)述對(duì)于負(fù)載型催化劑， 載體的主要作用
催化劑的活性是指（）；催化劑的穩(wěn)定性是指（）