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填空題常規(guī)集成電路平面制造工藝主要由（）、（）、（）、（）、（）等工藝手段組成。

1.填空題濕法腐蝕的特點是（）、（）、（）、（）。

2.填空題濕法腐蝕Si所用溶液有（）、（）等，腐蝕SiO₂常用的腐蝕劑是（），腐蝕Si₃N₄常用的腐蝕劑是（）。

3.填空題控制濕法腐蝕的主要參數(shù)有（）、（）、（）、（）等。

4.填空題光刻中影響甩膠后光刻膠膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

5.填空題常規(guī)硅集成電路平面制造工藝中光刻工序包括的步驟有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。