問答題設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
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由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}