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判斷題熱氧化生長的SiO₂都是四面體結(jié)構(gòu)，有橋鍵氧、非橋鍵氧，橋鍵氧越多結(jié)構(gòu)越致密，SiO₂中有離子鍵成份，氧空位表現(xiàn)為帶正電。

1.判斷題熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運(yùn)動(dòng)，在二氧化硅表面與氧化劑反應(yīng)生成二氧化硅。

2.判斷題當(dāng)位錯(cuò)線與滑移矢量垂直時(shí)，這樣的位錯(cuò)稱為刃位錯(cuò)，如果位錯(cuò)線與滑移矢量平行，稱為螺位錯(cuò)。

3.判斷題管芯在芯片表面上的位置安排應(yīng)考慮材料的解理方向，而解理向的確定應(yīng)根據(jù)定向切割硅錠時(shí)制作出的定位面為依據(jù)。

4.判斷題連續(xù)固溶體可以是替位式固溶體，也可以是間隙式固溶體。

5.填空題設(shè)計(jì)與生產(chǎn)一種最簡單的硅雙極型PN結(jié)隔離結(jié)構(gòu)的集成電路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。